武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求。
目前用于光纤陀螺中的宽带光源主要有两种:超辐射发光二极管(SLD)光源以及放大自发辐射(ASE)光源。前者是光子自发辐射被单程受激放大的半导体光源,因为 SLD 具有单程放大作用,输出功率可达到 mW 量级,且具有窄的光束发散角、宽输出光谱以及较高的稳定的尾纤输出光功率,从而可以获得较高信噪比的干涉信号。而ASE光源是放大自发辐射光,具有更高的输出功率,更宽的光谱,更高的波长稳定性及功率稳定性,多用于高精度光纤陀螺系统中。
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等
SLD的主要的应用:
波分复用:
波分解复用器件将一宽谱光源分割成许多窄线宽的光波,从而用单一光源代替了传统的激光器光源,实现了单一光源的多波长输出
超辐射发光二极管(SLD)是边发射半导体光源。超辐射发光二极管(SLD)具有与输出激光二极管(LD)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(LED)。与LD相比,SLD的具体区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征,都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用,但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作,但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性,普通光隔离器(带宽较窄)无法对其发射光谱完全隔离,因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中,宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。原文链接:http://www.souke.org/chanpin/show-144974.html,转载和复制请保留此链接。
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