半导电胶辊通常用在复印机、电子传真装置等办公设备中。半导电胶辊属于半导电元件,且电阻值受环境影响较大,对产品的导电性要求极其严格,因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施,所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。因此需精密的量测,故要求有一套高精密的量测系统来支持,方能达到产品的设计要求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造。
但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂,Bi2O3在820Cr熔化,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。
什么是靶材绑定?靶材绑定的适用范围、流程?
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式:压接、钎焊和导电胶。
1.压接:采用压条,一般为了提高接触的良好性,会增加石墨纸、Pb或In皮;
2.钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In-Sn;我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶:采用的导电胶要耐高温,厚度在0.02-0.05um。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。
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