制备SIC粉末方法较多，如机械粉碎法、激光合成法、等许多领域的应用越来越广泛，需求也越来越多。目前，制备SIC粉末方法较多，这个咱们在以前的新闻内容中也提到了许多工艺，在众多方法当中，机械粉碎法因其制备工艺简单，投资小、成本低、产量达，目前仍然是制备氮化硅微粉的主要方法。我国工业氮化硅仅以磨料用途为主。其中绿氮化硅具有较高的硬度和一定的韧性，多用于磨加工光学玻璃，硬质合金，钛合金以及轴承钢的研磨抛光，高速具的刃磨等；黑氮化硅多用于切割和研磨抗张强度低的材料。氮化硅耐火材料是以氮化硅为原料和主晶相的耐火制品。因为氮化硅耐火制品的原料和主晶相主要是氮化硅，所以制品的许多性质都取决于氮化硅的性质。这类耐火制品中，氮化硅为瘠性料，一定要由结合剂将其黏结为整体，故结合剂的性质和粘结形式对制品的性质有相当大的影响。
目前，对保护环境和节约能源的呼声高涨，使得国内的新能源电动汽车倍受关注。大功率封装器件在调控汽车速度和储存-转换交流和直流上发挥着决定性作用。而高频率的热循环对电子封装的散热提出了严格的要求，同时工作环境的复杂性和多元性需要封装材料具有较好的抗热震性和高强度来起到支撑作用。此外，随着以高电压、大电流和高频化为主要特征的现代电力电子技术的高速发展，应用于该技术的功率模块散热效率更成为了关键。电子封装系统中的陶瓷基板材料是散热的关键，同时为了应对工作环境的复杂化也应具有高强度和高可靠性。
近年来已经大规模生产、应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、Si3N4、AlN等。
Al2O3由于其制备工艺简单、绝缘性好，且耐高温，目前在散热基板行业中占有重要的地位。但是Al2O3的热导率较低，无法满足高功率大电压器件发展要求，只适用于对散热要求较低的工作环境，而且由于弯曲强度较低也限制了Al2O3陶瓷作为散热基板的应用范围。
氮化硅的化学式为Si3N4，是一种重要的结构陶瓷材料。氮化硅是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时化。而且，氮化硅还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率。
氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4非常常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。