由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应,或四氯化1碳与氟化银反应,或四氯1化碳与氟化1氢反应,都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果与浓度有关,包括头1痛、恶心、头昏眼花及心1血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-H2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
四氟化碳(CF4)在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体,能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除,在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四氟化碳是一种卤代烃,化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳,也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,后经精馏而得成品。四氟化碳贮存注意事项:气瓶不得靠近火源,不得受日光曝晒,与明火距离一般应该不小于10米,气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。